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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的P沟道MOSFET吗？DMP3056LVT-13就是您的理想答案。它能为您做什么？这颗芯片能让您轻松实现高效的负载开关和电源管理。凭借30V的耐压和4.3A的持续电流能力，它能稳健地控制电路的通断，而其低至50毫欧的导通电阻，则能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

更令人欣喜的是，它采用了微型的TSOT-26封装，能完美适配各种空间受限的便携式设备设计。无论是智能手机、平板电脑，还是其他紧凑的消费电子产品，DMP3056LVT-13都能让您以更小的空间占用，获得更可靠的性能和更高的能效，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 制造商产品型号：DMP3056LVT-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：642pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.38W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• DMP3056LVT-13，Diodes产品一站式供应商。