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还在寻找那颗能兼顾高效能与微小体积的功率开关芯片吗？DMP3056LVT-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达4.3A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至50毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用先进的MOSFET技术，具备极低的栅极电荷和输入电容，这意味着您可以实现更迅捷、更高效的开关控制，轻松优化系统的动态响应与整体能效。无论是用于电源切换、电机驱动还是负载管理，它都能让您的设计在性能与空间利用上取得完美平衡。

• 制造商产品型号：DMP3056LVT-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：642pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.38W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• DMP3056LVT-7，Diodes产品一站式供应商。