还在为电源开关的效率与尺寸发愁吗?DMP3068L-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能在仅1.8V的低电压下高效驱动,轻松处理高达3.3A的电流和30V的电压,其超低的72毫欧导通电阻,能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。
它采用微型SOT-23封装,能完美融入您紧凑的电路板设计,无论是空间受限的便携设备还是高密度的主板布局,都能应对自如。宽广的-55°C至150°C工作温度范围,确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。选择它,就是选择了一种让设计更简单、让产品更高效、让您更安心的智能电源管理方式。
- 型号:DMP3068L-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):72 毫欧 @ 4.2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.9 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):708 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP3068L-13,Diodes产品一站式供应商。