还在为电源管理电路的效率和体积发愁吗?让DMP3068LVT-13来为您解决!这颗来自Diodes的P沟道MOSFET,是专为空间受限、追求高效的应用而生的能量控制大师。
它能为您做什么?核心在于其出色的75毫欧超低导通电阻与2.8A的电流能力,能显著降低开关过程中的功率损耗,直接提升您的系统能效和电池续航。同时,2.5V的低驱动电压让它可以轻松被主流MCU驱动,简化您的设计。所有这些优势,都集成在极其紧凑的TSOT-26封装内,为您节省宝贵的电路板空间,让产品设计更轻薄、更高效。
- 型号:DMP3068LVT-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 4.2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.3 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):708 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.25W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP3068LVT-13,Diodes产品一站式供应商。