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DMP3068LVT-7 零件图片(仅供参考)

DMP3068LVT-7
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DMP3068LVT-7 规格参数

您正在寻找一颗能显著提升系统效率、简化设计流程的P沟道MOSFET吗?DMP3068LVT-7正是为您准备的利器。它能轻松胜任高达2.8A的电流开关任务,凭借低至75毫欧的导通电阻,大幅降低导通损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的易用性与高效能。它能在低至2.5V的驱动电压下高效工作,完美适配现代低压数字系统,让您的驱动电路设计变得前所未有的简单。同时,其快速的开关特性(低栅极电荷)确保了能量的瞬时传递,极大提升了电源路径管理和负载开关的响应速度与整体能效。

  • 型号:DMP3068LVT-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):708 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.25W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TSOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • DMP3068LVT-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP3068LVT-7 基本参数:

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