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还在为电源开关的效率瓶颈而困扰吗？DMP3085LSS-13正是为您的高效设计而来。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.8A的强大电流通过能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值仅70毫欧@10V），能显著降低开关过程中的能量损耗，直接转化为更长的设备续航或更低的系统发热。

它能让您的设计事半功倍。优化的栅极特性（Qg仅5.2nC）让驱动变得轻松高效，实现快速、干净的开关动作，提升系统响应速度。宽泛的工作温度范围和稳健的8-SO封装，则确保了它在各种应用环境中都能持久稳定地工作。选择它，就是为您的电源管理、负载开关或电机驱动电路选择了一位可靠、高效的执行核心。

• 型号:DMP3085LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 5.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:563 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3085LSS-13，Diodes产品一站式供应商。