还在寻找一颗能同时兼顾高效能与紧凑布局的开关解决方案吗?DMP3098LSD-13正是为您而来。这颗双P沟道MOSFET阵列,凭借其逻辑电平门驱动和低至65毫欧的导通电阻,让您能够轻松实现高效的电源切换与负载控制,显著降低系统功耗与发热。
它能在高达4.4A的电流下稳定工作,并拥有宽广的工作温度范围,无论是消费电子还是工业应用,都能游刃有余。其小巧的8-SOIC封装,更是为您的PCB布局节省了宝贵空间,让设计更紧凑,生产更高效。
- 型号:DMP3098LSD-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):336pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.8W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- DMP3098LSD-13,Diodes产品一站式供应商。