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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、小体积和高可靠性的功率开关解决方案？DMP3099LQ-7正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和3.8A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的65毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接为产品续航和散热设计减负。

它采用紧凑的SOT-23封装，却能轻松应对汽车级AEC-Q101的严酷考验，工作温度横跨-55°C至150°C。无论是用于电源切换、电机控制还是负载管理，它都能确保稳定、持久的性能输出。选择DMP3099LQ-7，就是选择用一颗芯片的力量，让您的设计更精简，性能更出众，可靠性一步到位。

• 型号:DMP3099LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:563 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.08W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP3099LQ-7，Diodes产品一站式供应商。