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DMP3105LVT-7 零件图片(仅供参考)

DMP3105LVT-7
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DMP3105LVT-7 规格参数

还在寻找一颗能兼顾小体积与大电流的可靠开关吗?DMP3105LVT-7正是为您而来!这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.1A的连续电流能力,封装却仅有小巧的TSOT-23-6,让您在紧凑的PCB布局中也能轻松实现高效的电源控制。

它凭借低至75毫欧的导通电阻和优异的开关特性,能显著降低导通损耗和开关损耗,从而提升系统整体能效,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是电池供电的便携产品,还是空间受限的嵌入式应用,它都能让您的设计游刃有余,性能表现稳定可靠。

  • 型号:DMP3105LVT-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):839 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.15W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TSOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • DMP3105LVT-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP3105LVT-7 基本参数:

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