还在为复杂的电源开关设计头疼吗?DMP3125L-7就是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和2.5A的强大电流处理能力,却能被精巧地封装在微小的SOT-23里。它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换,将宝贵的PCB空间留给更多创新功能。
其关键魅力在于卓越的性能参数:低至95毫欧的导通电阻能显著减少功率损耗,提升整体能效;而仅需4.5V的驱动电压和极低的栅极电荷,让您可以用更简单的电路驱动它,实现快速、干净的开关动作。无论是延长电池寿命,还是优化散热设计,DMP3125L-7都能让您的产品运行更凉爽、更持久、更可靠。
- 型号:DMP3125L-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):95 毫欧 @ 3.8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):254 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):650mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP3125L-7,Diodes产品一站式供应商。