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您是否正在寻找一颗能大幅提升电路效率、同时节省宝贵板级空间的MOSFET？DMP3164LVT-13正是您期待的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，以其2.8A的强劲驱动能力和低至95mOhm的导通电阻，让您的电源路径管理和负载开关应用变得异常高效，显著降低能量损耗和发热。

它采用超紧凑的TSOT-26封装，能轻松嵌入对空间极其敏感的便携式设备、物联网模块或高密度主板中。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在各种严苛环境下的稳定表现。选择DMP3164LVT-13，就是选择让您的设计更简洁、性能更可靠、能效比更出众。

• 型号:DMP3164LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMP3164LVT-13，Diodes产品一站式供应商。