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还在寻找一颗能同时节省空间和提升效率的电源管理核心？DMP3164LVT-7正是您期待的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于微小的TSOT-26封装内，让您轻松实现紧凑的电路布局，为您的便携设备释放更多设计自由。

它能为您的设计做什么？凭借高达2.8A的电流处理能力和低至95mΩ的导通电阻，它能高效地管理负载切换与电源路径，显著降低功率损耗，让系统运行更凉爽、更持久。其25V-30V的耐压和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的稳定与可靠。选择它，就是选择了一种高效、简洁且可靠的解决方案，助您轻松应对现代电子设计的挑战。

• 型号:DMP3164LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMP3164LVT-7，Diodes产品一站式供应商。