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还在寻找一颗能兼顾高效能与微小体积的功率开关解决方案吗？DMP3165L-13正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.3A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的90毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用易于焊接的SOT-23封装，为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷）与宽驱动电压兼容性，让您的电路设计更加灵活简单。无论是用于便携设备的电源开关，还是作为系统板上的负载管理单元，它都能让您轻松实现稳定可靠的控制，大幅提升产品整体能效与可靠性。

• 型号:DMP3165L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:300 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP3165L-13，Diodes产品一站式供应商。