我们为全球各个行业提供Diodes DMP31D0UFB4-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？DMP31D0UFB4-7B就是您的理想答案。它能为您轻松实现高达30V电压、540mA电流的高效负载开关与控制。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更高效、更紧凑。极低的1.8V驱动电压和1欧姆导通电阻，意味着它能显著降低功率损耗，提升系统能效，直接延长电池供电设备的续航。同时，其微型的3DFN封装为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更加纤薄精巧。

无论是智能穿戴设备的电源管理，还是便携式仪器中的模块开关，DMP31D0UFB4-7B都能以卓越的可靠性，确保您的系统稳定运行。选择它，就是选择了一种简单、高效且可靠的功率管理方式。

• 型号:DMP31D0UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP31D0UFB4-7B，Diodes产品一站式供应商。