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还在为设计中的高效、紧凑型电源或信号开关方案而寻找答案吗？DMP32D4S-13正是您期待的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，能在30V电压和300mA电流下稳健工作，其核心使命是让您以极简的设计，实现精准可靠的电路通断控制。

它凭借低至2.4欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，直接提升您的终端设备能效与续航。仅需4.5V的低驱动电压即可高效开启，让您能轻松地使用微控制器直接驱动，省去复杂的外围电路。无论是用于便携设备的负载管理，还是IoT模块的节能开关，DMP32D4S-13都能帮助您打造出更小巧、更高效、更可靠的产品。

• 型号:DMP32D4S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:51.16 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP32D4S-13，Diodes产品一站式供应商。