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您是否希望为您的便携式设备或精密电路找到一颗既高效又省心的电源管理“开关”？DMP32D4S-7正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现负载开关、电源隔离和信号路径选择，其优异的电气参数让控制精准而高效。

它能在高达30V的电压和300mA的电流下稳定工作，并以低至2.4欧姆的导通电阻，显著减少功率损耗，提升系统整体能效。超低的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您的系统运行更迅捷。同时，其微小的SOT-23封装为您节省宝贵的电路板空间，让设计布局更加灵活自由。

选择DMP32D4S-7，就是选择了一份可靠的性能保障。它宽广的工作温度范围和坚固的设计，让您的产品在各种环境下都能稳定运行，助您轻松打造出更紧凑、更耐用、更具竞争力的电子设备。

• 型号:DMP32D4S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:51.16 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP32D4S-7，Diodes产品一站式供应商。