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还在为寻找一款既能处理大电流又兼顾高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP34M4SPS-13正是为您解忧的利器。它能轻松驾驭高达135A的连续电流，凭借其惊人的低导通电阻（最低仅3.8毫欧），显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高性能的“电子开关”，在您的电路中负责精准、高效地控制大功率电能的通断。无论是用于服务器电源的同步整流、电动车载充电，还是工业设备的负载开关，它都能确保能量以最小的损失快速通过。其优化的PowerDI5060-8封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），让您在设计高可靠性、高功率密度产品时更加得心应手，轻松应对各种严苛环境挑战。

• 型号:DMP34M4SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):135A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:127 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3775 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP34M4SPS-13，Diodes产品一站式供应商。