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DMP4010SK3Q-13 零件图片(仅供参考)

DMP4010SK3Q-13
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DMP4010SK3Q-13 规格参数

还在为寻找一颗既能扛大电流,又温文尔雅不发烧的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP4010SK3Q-13正是为您而来的解决方案。它集40V耐压、高达50A的电流承载能力与惊人的9.9毫欧超低导通电阻于一身,旨在让您的电源路径损耗降至最低,从而显著提升整体能效,并让散热设计变得前所未有的轻松。

这颗芯片能为您做什么?它就像一位高效而强健的“电能守门员”。在DC-DC转换器中,它能实现高效的同步整流,锁住更多能量;在负载开关电路中,它能以极小的压降快速、可靠地通断大电流。其优化的动态参数(如栅极电荷)让驱动更省力,开关更迅速,直接帮助您提升系统频率和响应速度。选择它,就是为您的产品选择了冷静、高效与可靠的核心动力。

  • 型号:DMP4010SK3Q-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.9 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):91 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.7W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMP4010SK3Q-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMP4010SK3Q-13 基本参数:

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