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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的P沟道MOSFET吗？DMP4011SPS-13就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源开关和负载控制变得前所未有的高效与轻松。其极低的导通电阻（仅11毫欧）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

凭借高达40V的耐压和强大的电流处理能力（76A @ Tc），它能够从容应对电机驱动、电源转换和电池保护等高要求场景中的挑战。先进的PowerDI5060封装在提供出色散热性能的同时，大幅节省了宝贵的电路板空间，让您的设计更加紧凑精巧。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高密度电源方案，DMP4011SPS-13都是助您成功的可靠基石。

• 型号:DMP4011SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta），76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2747 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4011SPS-13，Diodes产品一站式供应商。