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您正在寻找一颗能轻松驾驭汽车级严苛要求，同时提供强劲功率开关性能的解决方案吗？DMP4011SPSQ-13正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达76A（Tc）的电流处理能力，让您在设计电机驱动、电源路径管理或负载开关时信心十足，轻松应对大电流挑战。

它的核心魅力在于极高的效率与可靠性。极低的导通电阻（仅11毫欧）能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，提升整体响应速度。采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，它能在节省宝贵电路板空间的同时，提供卓越的散热性能，是空间受限和高密度设计的理想选择。

• 型号:DMP4011SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta），76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2747 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4011SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。