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您正在寻找一颗能轻松驾驭汽车级严苛要求，同时大幅提升系统效率的功率开关吗？DMP4013SPSQ-13正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有40V耐压和11A连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅15毫欧@10A），能显著减少功率损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerDI5060封装，在紧凑的尺寸内实现了优异的散热性能，非常适合空间受限的现代汽车电子设计。更值得一提的是，它完全符合AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的高性能与高可靠性，让您轻松应对各种挑战。

• 型号:DMP4013SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4013SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。