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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP4015SK3Q-13正是您的理想之选。它能为您提供高达40V的电压耐受和14A/35A的强大电流处理能力，其核心价值在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您系统的整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为简化您的设计、提升产品竞争力而生。它采用易于焊接和散热的TO-252表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的PCB布局中。优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大2.5V）让您能够用更低的驱动电压实现高效控制，配合其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的应用无论是面对消费电子的日常使用，还是工业环境的严苛考验，都能稳定如一，高效运行。

• 型号:DMP4015SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMP4015SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。