我们为全球各个行业提供Diodes DMP4015SPSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源路径控制寻找一颗“得力干将”吗？DMP4015SPSQ-13正是您高效解决方案的核心。这颗P沟道MOSFET能轻松担当起负载开关、电源选通或电机控制的重任，其40V的耐压和8.5A的持续电流能力，让您在设计高可靠性电路时信心十足。

它最大的魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧@10V），这意味着更少的能量以热量形式浪费，直接为您提升系统效率，延长电池寿命。同时，其优化的动态参数让开关动作干净利落，配合PowerDI5060-8封装出色的散热特性，确保您的设备在-55°C到150°C的广阔温度范围内都能稳定、凉爽地运行。

• 型号:DMP4015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP4015SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。