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DMP4015SSS-13 零件图片(仅供参考)

DMP4015SSS-13
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DMP4015SSS-13 规格参数

您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让设备运行更冷静的P沟道MOSFET吗?DMP4015SSS-13正是为您而来。它能轻松驾驭高达9.1A的连续电流和40V电压,凭借低至11毫欧的导通电阻,显著减少功率损耗,直接将高效能转化为产品的核心竞争力。

这颗芯片让您的设计事半功倍。其优异的开关特性(低栅极电荷)确保快速响应,减少开关损耗,而宽达-55°C至150°C的工作温度范围,则赋予产品应对严酷环境的坚韧底气。无论是空间紧凑的便携设备,还是要求长期稳定的工业控制板,它都能以卓越的可靠性,守护您系统的每一分性能。

  • 型号:DMP4015SSS-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):47.5 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.45W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • DMP4015SSS-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMP4015SSS-13 基本参数:

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