我们为全球各个行业提供Diodes DMP4015SSSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能承受高电流又具备极低损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP4015SSSQ-13正是为您量身打造的解决方案。它能轻松驾驭高达9.1A的连续电流，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，将功率损耗大幅降低，直接为您带来更长的设备续航和更低的发热量。

这颗芯片是高效电源管理和负载开关的理想核心。其4.5V的低驱动电压让您能轻松实现快速、精准的开关控制，而高达40V的漏源电压则提供了宽裕的安全工作范围。无论是用于电池保护、DC-DC转换，还是电机驱动等场景，它都能确保系统运行稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

• 型号:DMP4015SSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.45W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP4015SSSQ-13，Diodes产品一站式供应商。