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还在为寻找既能节省空间又能扛起功率重任的开关方案而烦恼吗？DMP4025LSD-13双P沟道MOSFET阵列就是为您量身打造的答案。它集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松实现高效的负载切换、电机驱动或电源路径管理，极大简化了您的电路布局。

这颗芯片能为您做什么？它凭借40V的耐压和6.9A的持续电流能力，为您提供坚实的功率处理基础。其低至25毫欧的导通电阻和1.8V的低开启阈值，意味着更低的导通损耗和与微控制器的直接兼容性，让您的系统运行更高效、响应更迅速，同时有效控制温升。无论是便携设备还是工业模块，它都能确保稳定可靠的性能输出。

采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，DMP4025LSD-13在为您节省宝贵电路板空间的同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更能从容应对各种环境挑战。选择它，就是选择了一种高效、紧凑且可靠的设计路径，让您的产品在性能和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:DMP4025LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMP4025LSD-13，Diodes产品一站式供应商。