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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET吗？DMP4025LSS-13正是为您而来的解决方案。它能轻松处理高达40V的电压和6A的连续电流，其卓越的低导通电阻（最低仅25毫欧）让您大幅降低开关损耗，提升整体能效，使您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为要求苛刻的电源管理和开关应用而设计。它拥有快速的开关特性和优化的栅极电荷，让您的系统响应更迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的8-SO表面贴装封装，确保它在各种环境下都能稳定工作，为您的设计提供坚实的可靠性保障。

选择DMP4025LSS-13，就是选择了一个高效、紧凑且值得信赖的功率开关核心，它将简化您的设计流程，并显著提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:DMP4025LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.52W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP4025LSS-13，Diodes产品一站式供应商。