还在为复杂的电源开关设计头疼吗?DMP510DL-13就是为您简化设计、提升效率的得力助手。这颗P沟道MOSFET能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号电平转换。
它凭借50V的耐压和180mA的带载能力,足以应对大多数便携式和低功耗场景的需求。更出色的是,仅需5V电压即可驱动,并保持低至10欧姆的导通电阻,这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效。其微小的SOT-23-3封装,为您节省下宝贵的电路板空间,让产品设计更加紧凑精巧。
选择DMP510DL-13,就是选择了一种让您的产品更省电、更可靠、更小巧的智能方案,助您轻松应对各种设计挑战。
- 型号:DMP510DL-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):24.6 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):310mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP510DL-13,Diodes产品一站式供应商。