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还在为微型设备的电源开关选型头疼吗？DMP57D5UFB-7 P沟道MOSFET就是为您量身打造的答案。它能为您高效、可靠地控制高达50V电压、200mA电流的小功率负载，其低至2.5V的驱动门槛让您能轻松用微控制器直接操控，大幅简化电路设计。

这颗芯片采用极致的3-X1DFN1006微型封装，为您节省每一毫米宝贵的PCB空间，是穿戴设备、便携仪器等空间受限产品的理想选择。同时，其优异的电气性能和宽广的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定运行，让您彻底告别电源管理的后顾之忧。

• 型号:DMP57D5UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMP57D5UFB-7，Diodes产品一站式供应商。