还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗?DMP58D0LFB-7正是为您量身打造的答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET,拥有50V耐压和180mA的电流处理能力,能轻松胜任各种低电压、小电流的精密开关任务。
它能让您的设计事半功倍。其极低的导通电阻和输入电容,意味着更少的能量损耗和更快的响应速度,直接提升终端设备的续航与效率。同时,超小的3-DFN封装让您能最大限度地节省电路板空间,为产品实现更轻薄、更紧凑的设计提供无限可能。选择它,就是选择高效与可靠。
- 型号:DMP58D0LFB-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1006-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 100mA,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):470mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
- 封装/外壳:3-UFDFN
- DMP58D0LFB-7,Diodes产品一站式供应商。