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您正在寻找一颗能完美融入微型化设计的负载开关解决方案吗？DMP58D0LFB-7B正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET能轻松担当起50V电压、180mA电流下的高效开关角色，其核心价值在于以极小的体积（3-X1DFN1006封装）实现可靠的电路通断控制，让您的产品设计摆脱空间束缚。

它能让您轻松实现低侧驱动，简化电路布局。凭借低至2.1V的阈值电压和8欧姆的导通电阻，它能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。无论是用于电源管理、信号切换还是负载保护，它都能确保稳定、高效的性能输出，是各类便携式、电池供电设备的得力助手。

• 制造商产品型号：DMP58D0LFB-7B
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：50V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：27pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：3-X1DFN1006
• DMP58D0LFB-7B，Diodes产品一站式供应商。