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还在为寻找一颗能同时满足高电压、大电流和紧凑封装需求的P沟道MOSFET而费神吗？DMP6023LEQ-13正是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V的电压和7A的连续电流，以低至28毫欧的导通电阻，极大降低开关损耗，提升整体系统效率。

无论是汽车级的严苛环境，还是工业控制中的频繁开关，它都能凭借AEC-Q101认证和宽温工作范围（-55°C至150°C）稳定运行。其SOT-223封装兼顾了功率耗散与空间节省，让您的设计更加紧凑高效。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用，注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMP6023LEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），18.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），17.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP6023LEQ-13，Diodes产品一站式供应商。