我们为全球各个行业提供Diodes DMP6023LFGQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源开关的效率与发热问题烦恼吗？让DMP6023LFGQ-13为您带来改变。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有60V耐压和7.7A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101汽车级认证，工作温度横跨-55°C至155°C，无论是汽车电子、工业控制还是通信设备，都能提供稳定可靠的性能。其优化的开关特性（低栅极电荷）让驱动设计更简单，开关动作更迅捷。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的耐用性与卓越的能效表现。

• 型号:DMP6023LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP6023LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。