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还在为寻找一颗既能扛大电流、又易于驱动且节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP6023LFGQ-7正是为您而来的解决方案。这颗芯片能轻松担当起系统主电源开关或负载开关的重任，其7.7A的连续电流能力和低至25毫欧的导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，系统运行更凉快、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，完美适配您对高功率密度和紧凑布局的追求。无论是汽车电子中的严酷环境，还是工业设备的持久运行，其宽温范围和汽车级（AEC-Q101）可靠性都能让您高枕无忧。选择它，就是为您的产品选择了一份稳健的动力核心。

• 型号:DMP6023LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP6023LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。