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您正在寻找一颗能“扛得住”又“吃得少”的功率开关吗？DMP610DL-7正是您的理想之选。这款由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，拥有41V至60V的宽范围漏源击穿电压（BVDSS），让您在设计电源路径、负载开关或电机驱动时信心十足，轻松应对各种电压波动挑战。

它采用微型SOT23封装，极大地节省了您的电路板空间，非常适合空间受限的便携式和嵌入式应用。这颗芯片的核心价值在于实现高效、可靠的功率控制，帮助您降低系统功耗，提升整体能效，让您的产品在性能和续航上更具竞争力。

• 型号:DMP610DL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24.6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP610DL-7，Diodes产品一站式供应商。