还在为寻找一颗既能承受高压大电流,又具备超高效率和可靠性的P通道MOSFET而烦恼吗?DMP6110SFDF-7正是您期待的答案。这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭高达60V的电压和4.2A的连续电流,其卓越的110毫欧低导通电阻,能显著降低开关过程中的功率损耗,直接提升您系统的整体能效和运行稳定性。
无论是汽车电子中的电源分配、电机控制,还是工业设备里的负载开关,DMP6110SFDF-7都能凭借其车规级(AEC-Q101)的坚固品质和宽温工作范围(-55°C至150°C),确保您的设计在各种极端环境下依然可靠运行。其紧凑的U-DFN封装,更能帮助您高效利用宝贵的PCB空间,实现更小巧、更强大的终端产品设计。
- 型号:DMP6110SFDF-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):969 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.97W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- DMP6110SFDF-7,Diodes产品一站式供应商。