还在为寻找一款能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP6110SSDQ-13就是为您量身定制的解决方案。它能轻松胜任高达60V电压、7.8A电流的开关与控制任务,其优异的导通特性让您大幅降低系统功耗与发热,直接提升能效。
这颗芯片专为严苛环境设计,符合汽车级AEC-Q101标准,确保您的产品在-55°C至150°C的极端温度下依然稳定运行。无论是用于汽车电子、工业电源还是通信设备,它都能让您的设计更坚固、更可靠。选择它,就是为您的产品选择了一份持久的动力与安心。
- 型号:DMP6110SSDQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):105 毫欧 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):969 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- DMP6110SSDQ-13,Diodes产品一站式供应商。