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还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？让DMP6110SSS-13来为您简化一切！这颗P沟道MOSFET是您实现高效、可靠电路控制的得力助手。它能轻松处理高达60V的电压和4.5A的连续电流，并以低至110毫欧的导通电阻，最大限度地减少功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，DMP6110SSS-13都能让您的设计更加游刃有余。其优化的开关特性（栅极电荷仅19.4nC）让切换更快更干净，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一份高性能与高可靠性的双重保障。

• 型号:DMP6110SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP6110SSS-13，Diodes产品一站式供应商。