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您正在寻找一颗能轻松驾驭汽车级应用的高效开关吗？DMP6110SSSQ-13正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达7.8A的连续电流能力，让您在设计高侧负载开关、电源管理或电机驱动电路时，能够从容应对各种挑战。

它凭借仅110毫欧的低导通电阻和优化的开关特性，能显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整个系统的能效与可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和符合AEC-Q101标准的品质，确保您的产品即使在最严苛的汽车环境下也能稳定运行，为您省去后顾之忧。

• 型号:DMP6110SSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET PCH 60V 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），7.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP6110SSSQ-13，Diodes产品一站式供应商。