还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP6180SK3-13正是为您量身打造的解决方案!它能轻松担当您电路中关键的开关或负载驱动角色,凭借60V/14A的强劲规格和极低的导通电阻,显著降低功率损耗,让您的设备运行更凉爽、更高效,直接提升终端产品的能效表现和用户体验。
这颗芯片采用先进的MOSFET技术,具备优异的开关速度和栅极电荷特性,让您的系统响应更迅捷。其坚固的TO-252封装和宽广的工业级温度范围,确保了在各种严苛环境下的长期稳定工作。选择DMP6180SK3-13,就是为您的电源管理、电机控制或负载开关应用注入一颗强劲而可靠的“芯”。
- 型号:DMP6180SK3-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):984.7 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMP6180SK3-13,Diodes产品一站式供应商。