我们为全球各个行业提供Diodes DMP6185SE-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源管理设计的效率与空间问题头疼吗？DMP6185SE-13正是您期待的解决方案！这颗P沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制功率通路。它拥有60V的耐压和3A的持续电流能力，配合低至150毫欧的导通电阻，让您在开关负载或管理电源时，大幅降低能量损耗和发热，从而提升整个系统的能效和稳定性。

更令人放心的是，它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保您的产品即使在最恶劣的环境下也能坚如磐石。采用紧凑的SOT-223封装，为您节省宝贵的电路板空间，让设计更灵活。选择它，就是选择了一份高效、可靠与紧凑的完美结合，轻松助力您的产品迈向更高性能。

• 型号:DMP6185SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP6185SE-13，Diodes产品一站式供应商。