您是否正在寻找一颗能轻松驾驭汽车级应用的高效功率开关?DMP6350S-13正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和1.5A的连续电流能力,其核心价值在于仅350毫欧的超低导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。
它采用紧凑的SOT-23封装,能为您节省宝贵的电路板空间,同时其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)和符合AEC-Q101标准的可靠性,确保它在严苛的汽车环境中也能稳定工作。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机控制,DMP6350S-13都能以卓越的性能,让您的设计更高效、更可靠。
- 型号:DMP6350S-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 900mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):206 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):720mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP6350S-13,Diodes产品一站式供应商。