还在为复杂的电源开关设计头疼吗?让DMP6350SQ-13来为您化繁为简!这颗由Diodes Incorporated推出的P沟道MOSFET,核心使命就是让您高效、可靠地控制电路的通断。它拥有60V的漏源电压和1.5A的连续电流处理能力,却能轻松安装在微小的SOT-23封装内,完美解决空间受限的设计难题。
它特别适合用于负载开关、电源路径管理和电机控制等场景。其低至350毫欧的导通电阻能显著减少功率损耗,提升整体能效;而宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和汽车级AEC-Q101认证,则赋予了它应对严酷环境的卓越可靠性。选择它,就是为您的产品选择了一颗强劲而稳定的“心脏”。
- 型号:DMP6350SQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 900mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):206 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):720mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP6350SQ-13,Diodes产品一站式供应商。