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DMPH2040UVTQ-7 零件图片(仅供参考)

DMPH2040UVTQ-7
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DMPH2040UVTQ-7 规格参数

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛住大电流的P-MOSFET而烦恼吗?让DMPH2040UVTQ-7为您排忧解难!这颗采用先进TSOT-26微型封装的芯片,能在极其紧凑的电路板上为您实现高达20V电压和5.6A/11.7A电流的高效功率开关与控制。

它专为严苛环境打造,拥有汽车级AEC-Q101认证,工作温度范围宽达-55°C至175°C,确保您的汽车电子或工业设备在极端条件下依然稳定可靠。其卓越的低导通电阻特性,能显著减少功率损耗和发热,让您的系统运行更高效、更凉爽。选择它,就是选择为您的产品注入强劲、可靠且节省空间的驱动核心。

  • 型号:DMPH2040UVTQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):0.59 宽 x 2.64 长(15.0mm x 67.0mm)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):NHD-1.5-128128G,SSD1357
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):834 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TSOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • DMPH2040UVTQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMPH2040UVTQ-7 基本参数:

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