我们为全球各个行业提供Diodes DMPH3010LK3Q-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为高电流开关应用寻找一颗既强劲又可靠的“心脏”吗？DMPH3010LK3Q-13正是您理想的答案。这颗30V/50A的P沟道MOSFET，拥有极低的7.5毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升能效和可靠性。

它专为严苛的汽车电子环境而生，符合AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，确保在极端冷热条件下性能依旧稳定。其优化的栅极电荷和开关特性，让您能够轻松设计高频开关电路，同时有效控制EMI。无论是电机驱动、智能配电还是电源管理，DMPH3010LK3Q-13都能助您简化设计，加速产品上市，是追求高性能与高可靠性设计的明智之选。

• 型号:DMPH3010LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6807 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMPH3010LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。