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您正在设计一款需要高效、紧凑电源路径管理的产品吗？面对空间受限与散热挑战，DMPH3010LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达60A的连续电流处理能力，其核心价值在于惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

它能让您轻松驱动，仅需4.5V的驱动电压即可实现高效导通，简化外围电路设计。同时，其优化的栅极电荷和输入电容参数，确保了在高频开关应用中的快速响应与低开关损耗。无论是用于服务器电源的ORing保护、便携设备的负载开关，还是电机驱动控制，DMPH3010LPS-13都能以卓越的稳定性和PowerDI5060-8封装的小尺寸优势，助您打造出更可靠、更精巧的终端产品。

• 型号:DMPH3010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6807 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMPH3010LPS-13，Diodes产品一站式供应商。