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您正在设计需要高效、可靠电源开关或电机控制的方案吗？DMPH4013SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗40V、55A的P沟道MOSFET，凭借其极低的15毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您提升产品竞争力。

它不仅仅性能强悍，更拥有汽车级（AEC-Q101）的坚固内核。从-55°C到175°C的极端工作温度范围，确保它在汽车引擎舱、工业设备等恶劣环境中依然稳定可靠，大幅提升您终端产品的耐用性和寿命。其TO-252封装易于焊接和散热，让您的生产与散热设计都变得轻松高效。

无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，DMPH4013SK3-13都能以卓越的电气特性和可靠性，让您的设计事半功倍，轻松应对高电流挑战，实现性能与品质的双重飞跃。

• 型号:DMPH4013SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMPH4013SK3-13，Diodes产品一站式供应商。