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DMPH4023SK3-13 零件图片(仅供参考)

DMPH4023SK3-13
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DMPH4023SK3-13 规格参数

还在为寻找一颗能扛大电流、又足够可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMPH4023SK3-13就是为您的高要求应用量身定制的解决方案。它能轻松驾驭高达50A的连续电流,并以低至26毫欧的导通电阻,大幅降低您在开关和导通状态下的功率损耗,直接提升系统整体效率,让热量管理变得更简单。

这颗芯片的核心使命,是让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更稳健、更高效。其40V的耐压和符合AEC-Q101的车规级品质,意味着它不仅能胜任严苛的工业环境,更是汽车电子应用的理想选择。优异的开关特性(低栅极电荷)让驱动设计更轻松,帮助您缩短开发周期,快速实现产品性能的飞跃。

  • 型号:DMPH4023SK3-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1091 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMPH4023SK3-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMPH4023SK3-13 基本参数:

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