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还在为P沟道MOSFET的导通损耗和散热问题烦恼吗？让DMPH4029LFG-13为您带来改变。这颗来自Diodes Incorporated的40V P通道功率MOSFET，凭借其低至29mΩ的导通电阻，能显著降低开关状态下的功率损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它能在高达22A（Tc）的电流下持续稳定工作，并支持4.5V至10V的宽范围栅极驱动电压，让您的电路设计更加灵活。其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速开关性能，有效提升系统整体响应速度与能效。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它帮助您在有限的空间内实现强大的功率处理能力，轻松应对高密度PCB设计的挑战。

• 型号:DMPH4029LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29mOhm @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1626 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMPH4029LFG-13，Diodes产品一站式供应商。