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还在为电源路径上的开关损耗和发热头疼吗？DMPH4029LFG-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有低至29mΩ的导通电阻和仅34nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动损耗，让您的系统运行得更凉、更高效，轻松提升整体能效。

它支持高达40V的电压和22A的连续电流，驱动电压低至4.5V，非常适合用于电池管理、DC-DC转换和负载开关等应用。其紧凑的PowerDI3333-8封装为您节省宝贵的电路板空间，同时宽广的-55°C至175°C工作温度范围确保了在各种严苛环境下的卓越可靠性。

选择它，就是选择了一种更智能、更可靠的功率管理方式，让您的设计在性能和体积上取得完美平衡。

• 型号:DMPH4029LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29mOhm @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1626 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMPH4029LFG-7，Diodes产品一站式供应商。